, als ich mich vor ein paar Wochen mit Dr. Peter Friedrichs, Vice President SiC bei Infineon, traf, war das Thema Zuverlässigkeit des Gate-Oxids bei Siliziumkarbid-MOSFETs eines der Kernthemen. Lange Zeit war dies ein ernstes Problem für deren Zuverlässigkeit und die Kommerzialisierung. Und da es immer noch viele Defekte im Gate-Oxid gibt, musste sich Infineon etwas einfallen lassen. Was genau, erklärt Dr. Thomas Aichinger, ein Mitglied des Technologie-Entwicklungsteams bei Infineon.
Wer mich kennt, der weiß, dass mir unsere Mutter Erde sehr am Herzen liegt. Daher freue ich mich über alle Anstrengungen, die unternommen werden, um den Klimawandel zu begrenzen. Im Januar gab Rohm Semiconductor bekannt, dass in seiner neuen Fab in Chikugo ab 2022 mit erneuerbaren Energien SiC-MOSFETs zu fertigen. Und nun erklärte Analog Devices, bis 2030 CO2-neutral zu werden und bis 2050 einen vollständig klimaneutralen Betrieb zu erzielen.
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