channele   Newsletter vom 04.08.2023, ISSN 1615-1224
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Industrial Memory Cards:
Die smarte Speicherlösung für Industrieanwendungen

Von der intelligenten Fabrik bis zur intelligenten Logistiklösung – In kleinen Formfaktoren performen Industrial Memory Cards als fleißige Helfer.

Diese kleinen stromsparenden Wechselspeicher eignen sich hervorragend für Überwachung, Robotik, POS-Transaktionen und Handheld-Computing oder zur Erweiterung der Speicherkapazität..

IP57- und IP67-zertifiziert und bis zu 66 % mehr Lebensdauer.

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 Inhalt
Anzeige: WE-MAPI von Würth Elektronik
Multipixel-LED für adaptive Fahrzeug-Scheinwerfer
Optische Spektrumanalysatoren für die Wellenlängenbereiche 350 bis 1200nm und 350 bis 1750nm
Farbvideokamera mit SPAD-Sensor
Leistungs-MOSFETs im 4-mm²-Gehäuse
Infineon baut 200-Millimeter-Fab für SiC-Leistungshalbleiter

Anzeige: WE-MAPI von Würth Elektronik
... ist eine der kleinsten gewickelten Metal-Alloy-Speicherdrosseln der Welt. Sie überzeugt durch hohen Sättigungsstrom, hohe Permeabilität und geringen Widerstand.   mehr... 
Multipixel-LED für adaptive Fahrzeug-Scheinwerfer
ams Osram bringt das LED-Element Eviyos 2.0 für den Einsatzbereich in der Fahrzeugfrontbeleuchtung. Diese Multipixel-LED erlaubt laut Anbieter einen vollständig adaptiven, dynamischen Scheinwerferbetrieb und eine Bildprojektion. mehr...  
Optische Spektrumanalysatoren für die Wellenlängenbereiche 350 bis 1200nm und 350 bis 1750nm
Yokogawa stellt die optischen Spektrumanalysatoren AQ6373E für den sichtbaren Wellenlängenbereich und AQ6374E mit größerem Messbereich vor.  mehr... 
Farbvideokamera mit SPAD-Sensor
Canon gibt die Verfügbarkeit der Kamera MS-500 für Ende August 2023 bekannt. Es handelt sich laut Canon um die weltweit erste Ultra-High-Sensitivity Kamera mit Wechselobjektiven (ILC), die mit einem 1-Zoll SPAD-Sensor (Single Photon Avalanche Diode) mit der weltweit höchsten Pixelzahl von 3,2 Megapixeln ausgestattet ist. mehr...  
Leistungs-MOSFETs im 4-mm²-Gehäuse
Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS 6 40V und OptiMOS 5 25V und 30V von Infineon haben einen thermischen Widerstand R thJC von maximal 3,2 K/W in einem 2x2 mm² PQFN-Gehäuse.   mehr... 
Infineon baut 200-Millimeter-Fab für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon errichtet in Kulim, Malaysia eine 200-Millimeter-Fab, in der SiC-Power-Bausteine gefertigt werden sollen.  mehr...  
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