| <SPONSOREN> | ||
 |  |  |
 | | |
 | |
| Viele Schnittstellen für PCIe®-Anbindung Microchip stellt einen neuen Single-Chip PCIe-Fanout-Switch vor, der über hochintegrierte Peripherie für eine nahtlose Datenanbindung verfügt. Der kompakte, leistungsstarke Chip enthält einen USB 3.2 Gen 2 (10G) Host-Controller, einen 2,5G-Ethernet-MAC und programmierbare I/Os, was ihn für unterschiedlichste Anwendungen auszeichnet.>> WEITERE INFORMATIONEN |
 | Ferrite in Baugrößen 0402 und 0603 für HF und Entstörung |
| Faseroptik-Steckverbinder mit kontaktloser Linsentechnologie |
| COO von Rohde & Schwarz verlässt das Unternehmen |
| 600-V Power-MOSFETs mit Oberseitenkühlung |
| Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia |
| Ferrite in Baugrößen 0402 und 0603 für HF und Entstörung | |
 | Die drahtgewickelte Ferritreihe WE-RFI von Würth Elektronik ist jetzt in den Baugrößen 0402 sowie 0603 verfügbar. Die Bausteile sind als Induktivität für HF-Anwendungen sowie als Ferrit zur Entstörung nutzbar. mehr... |
| Faseroptik-Steckverbinder mit kontaktloser Linsentechnologie | |
 | Neue Versionen seiner Expanded-Beam-Performance-Steckverbinder für faseroptische Systeme hat Odu entwickelt. Sie stellen Schnittstellen mit kontaktloser Linsentechnologie für Fiber-Optik-Systeme in diversen Anwendungsbereichen dar. mehr... |
| COO von Rohde & Schwarz verlässt das Unternehmen | |
 | Der COO von Rohde & Schwarz verlässt nach 36 Jahren das Unternehmen, es wurde eine Interimsnachfolge bekanntgegeben. mehr... |
| 600-V Power-MOSFETs mit Oberseitenkühlung | |
 | Bei TTI, IP&E Europe ist die vierte Generation der 600-V-Power-MOSFETs der Serie SiHR080N60E E von Vishay erhältlich. Der Baustein befindet sich im PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse. mehr... |
| Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia | |
 | Infineon hat in Malaysia die erste Phase einer 200-Millimeter-Fab für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) eingeweiht. Geplant ist dort die Fertigung von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern sowie Galliumnitrid (GaN)-Epitaxie. mehr... |
channel-e-Mediadaten: https://media.channel-e.de/
Haftungshinweis: Trotz sorgfältiger inhaltlicher Kontrolle übernehmen wir keine Haftung für die Inhalte externer Links. Für den Inhalt der verlinkten Seiten sind ausschließlich deren Betreiber verantwortlich. channel-e distanziert sich ausdrücklich vom Inhalt verlinkter Seiten oder von Seiten, die durch eine Werbeschaltung erreicht werden.
Copyright: channel-e
Impressum:
channel-e
viSdP: Hartmut Rogge
Stagurastr. 10
86911 Diessen
Tel. 08807/947418
Fax 08807/947420,
Email: redaktion@channel-e.de
www.channel-e.de
Ust. ID: DE 814374768
Datenschutz: Ihre Email-Adresse wird von channel-e nicht weitergegeben. Außer der Email-Adresse müssen keine weiteren Daten für den Newsletterbezug angegeben werden. Lesen Sie dazu mehr in unserer Datenschutzerklärung.