, SiC-MOSFETs sind nur für Applikationen mit 650 V aufwärts geeignet – so das Credo bisher. Wir haben bereits Ende März darauf hingewiesen, dass Infineon Technologies das anders sieht, und einen 400-V-SiC-MOSFET auf den Markt bringen will. Auf der PCIM erfolgt in dieser Woche nun die Vorstellung dieses Produkts. Infineon hat da mit seinem proprietären ColdSplit-Verfahren einen Vorteil gegenüber den Mitbewerbern, da wegen der niedrigen Sperrspannung sehr dünne Drift-Layer ausreichen. Zwar kann Soitec mit dem SmartSiC etwas ähnliches anbieten, aber das dürfte kostentechnisch für 400 V und darunter nicht attraktiv sein. Erinnern Sie sich noch an das Narrativ vom nicht im ausreichenden Maße verfügbaren SiC-Bauteilen? Investitionstechnisch zumindest wird inzwischen alles getan, um diesen Zustand nicht eintreten zu lassen. Infineon hat vor kurzem, ein Jahr nach dem Baubeginn, die letzte notwendige Baugenehmigung für seine zu errichtende Smart Power Fab in Dresden erhalten. Während Infineon in Dresden 5 Milliarden Euro investiert, tut STMicroelectronics das in Catania. ST setzt dabei in Catania auf eine vertikal integrierte SiC-Fertigung, von der Fertigung der SiC-Wafer über die Produktion der SiC-MOSFETs auf 200-mm-Linien bis zum Testen und Verpacken der Produkte. Und bei GaN? Während Infineon mit seinen 400 V SiC-MOSFETs in eine bisherige Domäne von Silizium- und GaN-Leistungshalbleitern einbricht, rüstet sich die GaN-Branche für den Marsch in höhere Spannungsebenen. Mit lateral GaN wird das nicht funktionieren, aber mit vertikal GaN. Power Integrations hat kürzlich dazu die IP von Odyssey Semi gekauft und Bosch arbeitet mit Hochdruck am Projekt YESvGaN. Damit dürften 1200 V dann kein Problem mehr sein. Und dann wären da ja noch Kandidaten wie Galliumoxid oder AlN. Werden sie marktreif, dürften die Karten im Wide-Bandgap-Bereich noch einmal neu verteilt werden. Das dürfte aber wohl nicht mehr in diesem Jahrzehnt passieren. Ihr Engelbert Hopf Chefreporter | 
