, dass Integration bei Galliumnitrid der richtige Weg ist, betont GaN-Pionier Alex Lidow schon seit vielen Jahren. Aufgrund der lateralen HEMT-Struktur ist dies fast genauso einfach möglich wie bei Standard-CMOS in Silizium. Was bei der monolithischen Integration bei Galliumnitrid derzeit alles möglich ist, zeigte Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer IAF auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter, das unsere Kollegen der Markt&Technik vor knapp zwei Wochen veranstalteten. Ein Unternehmen, das von Anfang an diesen Weg der monolithischen Integration bei GaN beschreitet, ist Navitas Semiconductor. Dieses hat nun seine dritte Bausteingeneration vorgestellt. Was es Neues in seine GaNFast-Bausteine integriert hat, finden Sie hier. Doch schon bald könnte Galliumnitrid noch einen anderen Entwicklungspfad nehmen. Wie Dr. Reiner in seinem Vortrag auf dem Anwenderforum herausstellte, wird die vertikale Bauelementestruktur, wie wir sie heute bei MOSFETs und IGBTs finden, auch dort in absehbarer Zeit Wirklichkeit werden. Dann bekommt Siliziumkarbid (SiC) einen ernst zu nehmenden Mitbewerber in den Spannungsklassen 1200 und 1700 Volt. Aber dann lassen sich keine weiteren Bauteilstrukturen in GaN integrieren, oder? Nicht unbedingt, wie Dr. Reiner zeigte. Er hält eine Integration von lateralen Strukturen in einem vertikalen GaN-Bauelement für machbar. Ist das dann die Eier legende Wollmilchsau der Leistungselektronik? Nein, eines fehlt noch: eine effiziente Löcherleitung, um echte CMOS-ähnliche Strukturen aufzubauen. Mal sehen, ob das auch noch gelingt. Viele Freude beim Stöbern in unserem Newsletter wünscht Ihnen, Ihr Ralf Higgelke Redakteur | 
